基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化 |
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引用本文: | 刘金凤,姚博,郑挺才,彭应全. 基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化[J]. 发光学报, 2014, 35(2): 218 |
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作者姓名: | 刘金凤 姚博 郑挺才 彭应全 |
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作者单位: | 刘金凤:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000 姚博:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000 郑挺才:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000 彭应全:兰州大学物理学院 微电子研究所, 甘肃 兰州730000兰州大学 磁学与磁性材料教育部重点实验室, 甘肃 兰州730000
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基金项目: | 国家自然科学基金(1097407); 教育部博士点基金(20110211110005)资助项目 |
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摘 要: | 以p型硅和苝四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管。研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响。对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W。进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能。在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W。
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关 键 词: | 有机/无机异质结 光电探测器 PTCDA 厚度优化 |
收稿时间: | 2013-09-22 |
Structure Optimization of Organic/Inorganic Photosensitive Diode Based on PTCDA |
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Abstract: | |
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Keywords: | organic/inorganic heterojunction photodetector PTCDA thickness optimization |
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