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| 一种适用于VLSIMOS器件的阈电压模型 | |
| 引用本文： | 何野,魏同立.一种适用于VLSIMOS器件的阈电压模型[J].半导体技术,1987(1). |
| 作者姓名： | 何野 魏同立 |
| 作者单位： | 南京工学院半导体物理与器件专业 (何野)，南京工学院半导体物理与器件专业(魏同立) |
| 摘 要： | 随着大规模集成电路的发展,已经提出了多种MOS器件阈电压模型.然而,由于该种器件沟道区往往有离子注入,通常采用某些近似来模拟掺杂分布,这样得到的阈电压表示比较粗糙,且不太实用.为解决这一问题,本文提出了等效浓度的概念以及计算方法,在此基础上得到了一种新的阈电压模型,并指出了具体确定阈电压的步骤,数值结果与两维模拟基本一致.该方法与通常方法相比具有简单实用的特点. |
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