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| SGNEC前工序工艺技术和未来发展 | |
| 引用本文： | 叶建新,饶祖刚,等.SGNEC前工序工艺技术和未来发展[J].集成电路应用,2002(8):65-68. |
| 作者姓名： | 叶建新 饶祖刚 等 |
| 作者单位： | 首钢日电电子有限公司 |
| 摘 要： | 本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法，涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。 |
| 关 键 词： | CMOS 亚微米 深亚微米 DMOS E^2PROM 集成电路 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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