| 脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 张松青,张丽伟,赵新蕖,卢景霄.脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究[J].人工晶体学报,2008,37(2):285-288. |
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| 作者姓名： | 张松青 张丽伟 赵新蕖 卢景霄 |
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| 作者单位： | 河南机电高等专科学校,新乡,453002;新乡学院,新乡,453000;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜.采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(＜650℃)和中温(＜750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理.用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌.结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53;,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右.用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析.
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| 关 键 词： | Si薄膜 脉冲快速光热退火 拉曼光谱 扫描电子显微镜 |
| 文章编号： | 1000-985X(2008)02-0285-04 |
| 修稿时间： | 2007年6月12日 |
Investigation on Poly-Si Thin Film Fabricated by PRTP |
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| ZHANG Song-qing,ZHANG Li-wei,ZHAO Xin-qu,LU Jing-xiao.Investigation on Poly-Si Thin Film Fabricated by PRTP[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):285-288. |
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| Authors: | ZHANG Song-qing ZHANG Li-wei ZHAO Xin-qu LU Jing-xiao |
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