| 溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析 |
| |
| 引用本文： | 徐峰,刘奥,刘国侠,单福凯.溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析[J].青岛大学学报(自然科学版),2015(1):7-9. |
| |
| 作者姓名： | 徐峰 刘奥 刘国侠 单福凯 |
| |
| 作者单位： | 青岛大学物理科学学院;青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地 |
| |
| 摘 要： | <正>近年来,原来占据主流地位的介电材料SiO2已经被高介电常数(高k)材料(HfO2,ZrO2,Y2O3,Al2O3,etc)代替。高k材料能在减小漏电流密度的同时增大电容密度使AOS TFTs具有较低的阈值电压,较小的亚阈值摆幅和较高载流子迁移率1]。迄今为止,在应用于AOS TFTs器件的介电材料中,Y2O3是最好的选择,因其具有良好的热稳定性和化学稳定性,较低的漏电流,较高的反射系数(~2),较宽的禁带宽度
|
| 关 键 词： | Y2O3 溶液法 高介电常数 薄膜 |
Properties of High-k Yttrium Oxide Thin-films Prepared by Sol-gel Process |
| |
| XU Feng;LIU Ao;LIU Guo-xia;SHAN Fu-kai.Properties of High-k Yttrium Oxide Thin-films Prepared by Sol-gel Process[J].Journal of Qingdao University(Natural Science Edition),2015(1):7-9. |
| |
| Authors: | XU Feng;LIU Ao;LIU Guo-xia;SHAN Fu-kai |
| |
| Institution: | XU Feng;LIU Ao;LIU Guo-xia;SHAN Fu-kai;College of Physics Science,Qingdao University;Lab of New Fiber Materials and Modern Textile,Growing Base for State Key Laboratory,Qingdao University; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
