| 基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池 |
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| 引用本文： | 孙强,许军,陈文浚,娄朝刚. 基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(5): 911-914 |
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| 作者姓名： | 孙强 许军 陈文浚 娄朝刚 |
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| 作者单位： | 南开大学信息技术科学学院,天津,300071;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381;南开大学信息技术科学学院,天津,300071;东南大学电子工程系,南京210096 |
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| 摘 要： | 近年来,基于晶格匹配的多结太阳能电池光电转换效率已经接近30;[1,2],中国电子科技集团公司第十八研究所三结GaInP/GaAs/Ge电池技术已经达到小批量生产水平.为了进一步提高多结太阳电池的转换效率,可以采用增加pn结的数量和优化三结电池子电池带宽组合等办法,但上述途径受到材料晶格匹配的限制,目前同时实现晶格匹配和最佳带宽的材料生长还存在一些问题.为此,我们采用与多结电池技术兼容的设备和材料,开展了基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池的研究.本文给出GaAs单结量子阱电池的实验过程及结果,证实了量子阱结构的引入确实能够提高电池的输出电流.随着研究的深入,我们希望用此结构作为中间电池,以提高三结电池的效率.
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| 关 键 词： | 量子阱 太阳能电池 MOCVD 外延, |
| 文章编号： | 1000-985X（2005）05-0911-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-14 |
| 修稿时间： | 2005-07-14 |
Strain Balanced Quantum Well Solar Cells Based on AlInGaAsP Material |
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| SUN Qiang,XU Jun,CHEN Wen-jun,LOU Chao-gang. Strain Balanced Quantum Well Solar Cells Based on AlInGaAsP Material[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(5): 911-914 |
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| Authors: | SUN Qiang XU Jun CHEN Wen-jun LOU Chao-gang |
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| Affiliation: | 1. College of Information Technical Science, Nankai University, Tianjin 300071, China; 2. The 18th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Tianjing 300381, China; 3. Department of Electronic Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well solar cells MOCVD epitaxy |
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