| 金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究 |
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| 引用本文： | 许晟瑞,张进城,李志明,周小伟,许志豪,赵广才,朱庆伟,张金凤,毛维,郝跃. 金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究[J]. 物理学报, 2009, 58(8) |
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| 作者姓名： | 许晟瑞 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，国家科技重大专项( |
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| 摘 要： | 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
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| 关 键 词： | 原子力显微镜 高分辨X射线衍射仪 非极性 |
The triangular pits eliminate of(11-20)a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition |
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| Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Li Zhi-Ming,Zhou Xiao-Wei,Xu Zhi-Hao,Zhao Guang-Cai,Zhu Qing-Wei,Zhang Jin-Feng,Mao Wei,Hao Yue. The triangular pits eliminate of(11-20)a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition[J]. Acta Physica Sinica, 2009, 58(8) |
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| Authors: | Xu Sheng-Rui Zhang Jin-Cheng Li Zhi-Ming Zhou Xiao-Wei Xu Zhi-Hao Zhao Guang-Cai Zhu Qing-Wei Zhang Jin-Feng Mao Wei Hao Yue |
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| Keywords: | GaN |
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