| 电子束纳米光刻技术研究 |
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| 引用本文： | 刘玉贵,王维军,罗四维.电子束纳米光刻技术研究[J].微纳电子技术,2003(Z1). |
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| 作者姓名： | 刘玉贵 王维军 罗四维 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051
(刘玉贵，王维军)，中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051(罗四维) |
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| 摘 要： | 纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用 ,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统 ,经过工艺研究 ,现已研究出最细分辨率剥离金属条为 17nm ,最小剥离电极间距为 10nm ,最细T型栅为 10 0nm。
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| 关 键 词： | 电子束光刻 纳米图形 剥离技术 |
E-beam nano-lithography technology research |
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| LIU Yu gui,WANG Wei jun,LUO Si wei.E-beam nano-lithography technology research[J].Micronanoelectronic Technology,2003(Z1). |
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| Authors: | LIU Yu gui WANG Wei jun LUO Si wei |
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| Abstract: | Nano lithography technology plays a very important role in the field of nano electronic manufacturing, while e beam lithography is one of the best ways to produce nano features. Using VB5 e beam exposure system, gold lift off fine lines of 17nm, fine spaces between metal lift off electrodes of 10nm, and fine T gates of about 100nm have been made. |
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| Keywords: | e beam lithography nano features metal lift off |
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