半导体器件数值模拟的块中心差分法

此处(1.1)～(1.3)分别是电位势方程,电子浓度(e)和空穴浓度(p)方程,其中α是由介电常数和电子电荷决定的正常数,N(x)表示掺杂分布,r,r_p是正常数,μ(x),μ_p(x)表示迁移率,R(e,p)=(ep—1)/(e+p+2)表示电子和空穴的产生复合率,△是拉普拉斯算子,是梯度算子,v是区域Ω边界Ω的外法线方向,p_0(x),e_0(x)是已知的初始浓度函数。