| 一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展 |
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| 引用本文： | 安正华,张苗,门传玲,谢欣云,沈勤我,林成鲁.一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展[J].物理,2002,31(4):219-223. |
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| 作者姓名： | 安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 |
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| 作者单位： | 安正华（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
张苗（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
门传玲（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
谢欣云（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
沈勤我（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
林成鲁（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365),国家自然科学基金(批准号:No.69906005)和上海市青年科技启明星计划(批准号:No.01QMH1403)资助项目 |
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| 摘 要： | SOI（silicon on insulator，绝缘层上的硅）技术和SiGe（silicon germanium，锗硅）技术都是微电子领域的前沿技术，SiGe-OI（SiGe-on-insulator，绝缘层上的锗硅）新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料，它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势，因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一。文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作，综述了SiGe－OI材料研究情况和应用前景，详细介绍了其主要的制备方法，最后报道了作才在SiGe－OI材料研究上的一些实验结果。
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| 关 键 词： | 绝缘层 硅 锗硅 集成电路 SiGe Si SOI结构 iGe－OI材料 |
| 修稿时间： | 2001年7月9日 |
A NEW SOI STRUCTURE--SiGe-OI |
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