| 羰基化合物在Si(100)表面[2+2]环加成和α-H裂解反应的选择性 |
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| 作者姓名： | 张继超 程学礼 程玉桥 孟祥华 刘永军 刘成卜 |
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| 作者单位： | 1. Geological Scientific Research Institute, Shengli Oilfield Company of SINOPEC, Dongying 257015, Shandong Province, P. R. China;2. School of Chemistry and Chemical Engineering, Shandong University, Jinan 250100, P. R. China |
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| 基金项目： | supported by the National Natural Science Foundation of China (21173129)~~ |
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| 摘 要： | 最近研究表明: 丙酮能与半导体Si(100)表面发生[2+2]环加成和α-H 裂解反应形成相应的Si―C键或Si―O键, 在半导体材料的合成方面具有重要意义. 为进一步弄清不同羰基化合物在Si(100)表面的反应机理,本文应用密度泛函理论方法在B3LYP/6-311++G(d,p)//6-31G(d)水平上较为系统地研究了一系列羰基化合物CH3COR (R=CH3, H, C2H5, C6H5)与Si(100)表面的反应. 研究结果表明: 不论是[2+2]环加成反应还是α-H 裂解反应都对应较低的反应势垒(小于25 kJ·mol-1); 环加成反应的势垒比α-H 裂解反应的势垒略高; 羰基上的取代基对反应势垒的影响较少; α-H裂解反应产物为动力学和热力学控制产物; 对丁酮来说, 1-位和3-位H原子的裂解反应都比较容易, 势垒相差很小. 这些结果表明羰基化合物与Si(100)表面的反应将得到多种产物.
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 环加成反应 α-H裂解反应 羰基化合物 |
| 收稿时间： | 2012-04-01 |
| 修稿时间： | 2012-06-08 |
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