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| 掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光 | |
| 引用本文： | 雷红兵,杨沁清,朱家廉,王红杰,高俊华,王启明.掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光[J].半导体学报,1999,20(1):67-71. |
| 作者姓名： | 雷红兵 杨沁清 朱家廉 王红杰 高俊华 王启明 |
| 作者单位： | [1]北京集成光电子国家开放实验室 [2]中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降，其温度猝灭激活能为１４．３ｍｅＶ．发光谱表明富硅氧化硅中Ｅｒ－Ｏ发光中心仍具有Ｔｄ对称性． |
| 关 键 词： | 光致发光 富硅氧化硅薄膜 掺杂 铒 氧化硅薄膜 |
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