| 石墨烯在Ni(111)表面生长机理的紧束缚计算研究 |
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| 引用本文： | 周辰,胡靖,田圆,赵倩莹,缪灵,江建军.石墨烯在Ni(111)表面生长机理的紧束缚计算研究[J].原子与分子物理学报,2012,29(6):517-522. |
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| 作者姓名： | 周辰 胡靖 田圆 赵倩莹 缪灵 江建军 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系 |
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| 摘 要： | 本文采用SCC-DFTB方法，研究了石墨烯在Ni金属(111)表面上的生长机理及在台阶面生长情况.结果分析表明，苯环在Ni表面吸附时以界面fcc构型总能最低，结构最为稳定.边缘生长时，附着在衬底表面上的石墨烯层中C原子活性从边缘向中间逐渐降低.在由(111)晶面和(1-11)晶面相交形成的台阶面上，石墨烯片层可连续生长，同时相对衬底表面发生一定偏转，在较大面积时将出现缺陷.改善石墨烯与衬底台阶处的界面不匹配情况将有利于其大面积高质量生长.
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| 关 键 词： | 石墨烯 金属衬底 表面结构 台阶生长 紧束缚近似 |
| 收稿时间： | 8/5/2011 12:00:00 AM |
Tight-binding calculation of growth mechanism of graphene on Ni(111) surface |
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| Institution: | Department of Electronic Science & Technology,HUST,,Department of Electronic Science & Technology,HUST,Department of Electronic Science & Technology,HUST,,Department of Electronic Science & Technology,HUST |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene metallic substrate surface structure growth on step tight binding approximation |
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