| 中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器 |
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| 引用本文： | 何玮,李平,邵秀梅,曹高奇,于一榛,张亚光,邓双燕,杨波,李雪,李淘,龚海梅.中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器[J].红外与毫米波学报,2018,37(6):649-652. |
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| 作者姓名： | 何玮 李平 邵秀梅 曹高奇 于一榛 张亚光 邓双燕 杨波 李雪 李淘 龚海梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,复旦大学,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）,国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 采用ICP (inductively coupled plasma etching) 刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式, 研制了像元中心距为10μm、截止波长2. 6μm的p-i-n型10×10元延伸波长In Ga As探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析, 显示了器件优异的暗电流特性.在室温下, -10 mV偏压时器件的暗电流和优质因子R0A分别为0. 45 nA和14. 7Ω·cm2, 量子效率可达到63%.为了证实像元中心距减小并未影响器件性能, 与同种材料中心距30μm的InGaAs焦平面阵列进行了对比分析.相似的实验结果进一步证明了工艺的可行性, 对今后实现高密度、大面阵延伸波长InGaAs探测器具有重要的指导意义.
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| 关 键 词： | 延伸波长，InGaAs探测器，小像元，暗电流密度，量子效率 |
| 收稿时间： | 2018/1/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/9/28 0:00:00 |
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