| 二维长方晶格光子晶体第二个能带中频率近场成像的调控 |
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| 引用本文： | 冯帅,敖玲,王义全.二维长方晶格光子晶体第二个能带中频率近场成像的调控[J].中国科学(G辑),2009,39(3):344-348. |
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| 作者姓名： | 冯帅 敖玲 王义全 |
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| 作者单位： | 中央民族大学理学院; |
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| 基金项目： | 国家民族事务委员会委科研项目(编号:07ZY15);;国家重点基础研究计划(编号:2004CB719804,2006CB921702);;国家自然科学基金(批准号:10674185;10705056);;中央民族大学青年科学基金(编号:CUN0207)资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了由介质打孔方法组成的二维长方晶格光子晶体平板的成像特性．利用时域有限差分方法计算了由点光源发出的光经过光子晶体平板的电磁场空间分布，并与利用平面波展开方法计算得到的等频率曲线进行了对比分析，发现一个高质量的近场实像是由于自准直效应和负折射效应的共同作用形成的．对于不同频率的入射光，可以在光子晶体的两个相互垂直的方向上分别实现近场成像．
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| 关 键 词： | 光子晶体 负折射 亚波长成像 |
| 收稿时间： | 2008-04-11 |
| 修稿时间： | 2008-06-23 |
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