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| 理想第二类超导薄膜的纵场临界电流 | |
| 作者姓名： | 吴杭生 顾一鸣 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学 |
| 摘 要： | 本文分析了一个在纵向磁场He中,载流的理想第二类超导薄膜(ξ(T)《d≤λ(T))的混合态结构。指出,只有当He>(Hc1)(d)时,超导膜的混合态才具有无阻负载电流的能力。本文得到的纵场临界电流曲线具有复杂的结构,并且一般均呈现峰值效应。Heaton及Rose-Innes测得的Nb55Ta45合金的Ic-He曲线和d>5λ时的理论曲线相比较,在主要特征上是相同的。
关键词： |
| 收稿时间： | 1982-04-26 |
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