| GaAs及其它半导体欧姆接触模型 |
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| 引用本文： | 吴鼎芬,王德宁. GaAs及其它半导体欧姆接触模型[J]. 物理学报, 1985, 34(3): 332-340 |
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| 作者姓名： | 吴鼎芬 王德宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
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| 摘 要： | n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρc与有源层浓度ND有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρc应由两部分ρ(c1)和ρ(c2)组成。ρ(c1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有关键词：
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| 收稿时间： | 1984-01-06 |
A MODEL OF OHMIC CONTACT OF GaAs AND OTHER SEMICONDUCTOR |
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| WU DING-FEN and WANG DE-NING. A MODEL OF OHMIC CONTACT OF GaAs AND OTHER SEMICONDUCTOR[J]. Acta Physica Sinica, 1985, 34(3): 332-340 |
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| Authors: | WU DING-FEN and WANG DE-NING |
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