| 高能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟 |
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| 引用本文： | 宋会英,张玉林,魏强,孔祥东.高能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟[J].中国物理 C,2005,29(12):1219-1224. |
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| 作者姓名： | 宋会英 张玉林 魏强 孔祥东 |
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| 作者单位： | 山东大学控制学院电子束研究所,济南250061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（90307003）,山东省自然科学基金（Y2003G03）和山东省科技攻关计划基金（022090105）资助 |
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| 摘 要： | 利用分段散射模型, 借助Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的
高能入射电子束(50keV≤E0≤100keV)在抗蚀剂中的
散射过程, 分别得到了不同曝光条件下的电子背散射系数和能量沉积分布,
模拟结果与实验结果很好地符合. 在这一能量段, 当电子束能量越高、抗蚀剂
越薄、基片材料的原子序数越低时, 邻近效应越弱. 本文的模拟结果不仅能为高能电子束光刻工艺优化曝光条件、降低邻近效应提供理论指导, 而且能为进一步的邻近效应的校正提供更精确的数据.
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| 关 键 词： | 电子束光刻 Monte Carlo模拟 邻近效应 二次电子 |
| 收稿时间： | 2005-01-04 |
| 修稿时间： | 2005-01-042005-07-06 |
Monte Carlo Simulation of High-Energy Electron Beam Exposure in Resist |
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| SONG Hui-Ying ,ZHANG Yu-Lin, WEI Qiang ,KONG Xiang-Dong.Monte Carlo Simulation of High-Energy Electron Beam Exposure in Resist[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2005,29(12):1219-1224. |
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| Authors: | SONG Hui-Ying ZHANG Yu-Lin WEI Qiang KONG Xiang-Dong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron beam lithography Monte Carlo simulation proximity effect secondary electron |
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