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硅纳米线晶格热导率的理论分析
引用本文:冯勃,李志信,张兴.硅纳米线晶格热导率的理论分析[J].工程热物理学报,2008,29(3):473-475.
作者姓名:冯勃  李志信  张兴
作者单位:清华大学航天航空学院,热科学与动力工程教育部重点实验室,北京,100084
摘    要:考虑空间尺度对声子群速度的影响,采用Callaway热导率模型计算了单晶硅纳米线的晶格热导率,讨论了三声子Umklapp过程、电子-声子散射、缺陷-声子散射以及边界-声子散射对热导率的影响.结果表明,纳米线的热导率比体材料小一个数量级,与不考虑受限声子群速度的结果相比,和实验符合得更好.另外,边界散射使得高温区的热导率体现出与温度几乎无关的特性.

关 键 词:硅纳米线  热导率  色散关系  边界散射  单晶硅纳米线  晶格热导率  理论  分析  SILICON  NANOWIRE  LATTICE  THERMAL  CONDUCTIVITY  ANALYSIS  特性  温度  高温区  声子散射  实验  体材料  结果  边界  缺陷  电子  过程  计算  率模型
文章编号:0253-231X(2008)03-0473-03
修稿时间:2007年12月10

THEORETICAL ANALYSIS OF THE LATTICE THERMAL CONDUCTIVITY OF A SILICON NANOWIRE
FENG Bo,LI Zhi-Xin,ZHANG Xing.THEORETICAL ANALYSIS OF THE LATTICE THERMAL CONDUCTIVITY OF A SILICON NANOWIRE[J].Journal of Engineering Thermophysics,2008,29(3):473-475.
Authors:FENG Bo  LI Zhi-Xin  ZHANG Xing
Abstract:
Keywords:
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