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| 日电中央研究所试制采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模 | |
| 引用本文： | 肖虹.日电中央研究所试制采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模[J].微纳电子技术,1982(2). |
| 作者姓名： | 肖虹 |
| 摘 要： | <正> 日本电气中央研究所试制了实用性强、容易形成微细图形的采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模。过去,形成厚-宽比大的金的微细图形的方法有多种,但不论哪种方法在生产性、线宽控制及缺陷宽度等方面都有问题。该所用等离子体CVD方法形成的SiN膜,以其生产条件决定的易腐蚀的特性而引人注目,因此进行SiN隔离法的研究,也容易得到亚微米领域的金微细图形。形成图形的工艺步骤如下:在掩模基板上顺次形成作为附着层的钛(50A)和作为电镀 |
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