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热交换法生长蓝宝石晶体的位错研究
引用本文:柯利峰,黎建明,苏小平,那木吉拉图,李楠.热交换法生长蓝宝石晶体的位错研究[J].人工晶体学报,2009,38(3):625-628.
作者姓名:柯利峰  黎建明  苏小平  那木吉拉图  李楠
作者单位:北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088
摘    要:本文用热交换法生长出a向,尺寸为φ150 mm×160 mm,重10 kg的低位错蓝宝石晶体,并采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了(0001)晶面的位错形貌.结果显示:(0001)晶面的位错腐蚀坑呈三角形,分布较均匀和分散,图像清晰,平均位错密度较低,为2.1×103 Pits/cm2;热交换系统保温效果好,能独立控制熔体和晶体的温度梯度,温场起伏小,具有良好的稳定性和可控性,适合用来生长大直径低位错的蓝宝石晶体.

关 键 词:蓝宝石单晶  热交换法  晶体生长  位错  

Research of Dislocations of Sapphire Crystals Grown by Heat-exchange Method
KE Li-feng,LI Jian-ming,SU Xiao-ping,NAMu-Jilatu,LI Nan.Research of Dislocations of Sapphire Crystals Grown by Heat-exchange Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(3):625-628.
Authors:KE Li-feng  LI Jian-ming  SU Xiao-ping  NAMu-Jilatu  LI Nan
Institution:Beijing Guojing Infrared Optical Technology Co.;LTD;Beijing General Research Institute for Nonferrous Metals;Beijing 100088;China
Abstract:
Keywords:sapphire crystals  heat-exchange method  crystal growth  dislocation  
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