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Optimization of Electrical Properties of MoS2 Field‐Effect Transistors by Dipole Layer Coulombic Interaction With Trap States
Authors:
Xichen Chuai
Guanhua Yang
Wei Wei
Jiawei Wang
Xuewen Shi
Congyan Lu
Ying Zhao
Yue Su
Quantan Wu
Di Geng
Nianduan Lu
Ling Li
Ming Liu
Abstract:
Keywords:
DFT calculations
dipole moment
molecular dynamics simulation
MoS2 transistors
threshold voltage
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