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Optimization of Electrical Properties of MoS2 Field‐Effect Transistors by Dipole Layer Coulombic Interaction With Trap States
Authors:Xichen Chuai  Guanhua Yang  Wei Wei  Jiawei Wang  Xuewen Shi  Congyan Lu  Ying Zhao  Yue Su  Quantan Wu  Di Geng  Nianduan Lu  Ling Li  Ming Liu
Abstract:
Keywords:DFT calculations  dipole moment  molecular dynamics simulation  MoS2 transistors  threshold voltage
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