| 透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应 |
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| 引用本文： | 杨丰帆,方亮,李丽,付光宗,张勇,李明伟,喻江涛.透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应[J].半导体学报,2007,28(Z1):67-75. |
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| 作者姓名： | 杨丰帆 方亮 李丽 付光宗 张勇 李明伟 喻江涛 |
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| 作者单位： | 杨丰帆（重庆大学应用物理系,重庆,400044;中国兵器工业集团第五十三研究所,济南,250031）;方亮（重庆大学应用物理系,重庆,400044）;李丽（重庆大学应用物理系,重庆,400044）;付光宗（重庆大学应用物理系,重庆,400044）;张勇（重庆大学应用物理系,重庆,400044）;李明伟（重庆大学动力工程学院,重庆,400044）;喻江涛（重庆大学动力工程学院,重庆,400044） |
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| 基金项目： | 重庆市科技攻关重大项目(批准号;CSTC2005AA4006-A6),教育部新世纪优秀人才计划(批准号：NCET-05-0764)和国防预研项目(批准号:40401030202)资助项目 |
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| 摘 要： | 在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.
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| 关 键 词： | 透明导电CdIn2O4薄膜 结构 Seebeck效应 温差电动势率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0067-09 |
| 修稿时间： | 2006年12月11 |
Structure and Seebeck Effect for Transparent and Conductive CdIn2O4 Thin Film |
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