首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Defect reduction in GaAs/Si film with InAs quantum-dot dislocation filter grown by metalorganic chemical vapor deposition
Authors:
Wang Jun
Hu Hai-Yang
Deng Can
He Yun-Rui
Wang Qi
Duan Xiao-Feng
Huang Yong-Qing
Ren Xiao-Min
Affiliation:
Institute of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT), State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications (BUPT), Beijing 100876, China
Abstract:
Keywords:
GaAs-on-Si growth
dislocation filter
quantum dot
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
点击此处可从《中国物理 B》浏览原始摘要信息
点击此处可从《中国物理 B》下载
免费
的PDF全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号