| 不同驱动力对Cz硅生长中熔体对流影响的数值模拟研究 |
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| 引用本文： | 苏文佳 左 然 狄晨莹 程晓农. 不同驱动力对Cz硅生长中熔体对流影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 903-911 |
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| 作者姓名： | 苏文佳 左 然 狄晨莹 程晓农 |
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| 作者单位： | 江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013;江苏大学材料科学与工程学院,镇江212013;江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013;江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金(51206069);高等学校博士学科点专项科研基金(20123227120017);江苏省自然科学基金青年基金(BK2012295);江苏大学高级专业人才科研启动基金(1281130015);江苏省博士后科研资助计划(1301049C) |
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| 摘 要： | 为了确定Cz单晶硅生长各种驱动力对熔体对流及固/液界面形状的影响,利用CGSim软件,对典型的Cz单晶硅生长中的熔体对流进行数值模拟.研究了重力、表面张力、平流力、晶转、埚转和氩气剪切力等各种驱动力的大小对熔体对流涡胞、涡胞强度、界面形状、温度分布的影响.结果表明:各种驱动力对熔体对流的影响大小依次为:浮力＞表面张力＞晶转力＞氩气剪切力＞埚转力＞平流力;浮力和表面张力使熔体产生一沿坩埚壁上升、从固/液界面附近下降的涡胞,晶转力和氩气剪切力使熔体产生与前面反方向的涡胞,而埚转力产生多个不同流向的对流涡胞,使熔体混合更加均匀,熔体凝固引起的平流力对熔体对流影响不大;增大埚转,熔体中涡胞数量更多、对流换热更充分、温度梯度更小、熔体内的最高温度更低,有利于减少石英坩埚氧的熔解,但界面更向下凹;增大晶转,熔体内的最高温度无明显变化;固定埚转Ωc=-10 r/min,晶转存在一临界值Ωs(C)=60～ 80 r/min,当Ωs＜Ωs(C)时,增大晶转,固/液界面更向上凹,当Ωs＞Ωs(C)时,增大晶转,固/液界面更向下凹.
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| 关 键 词： | 晶体生长 Cz硅 数值模拟 熔体对流 固/液界面, |
Numerical Simulation Study on Effect of Different Driving Force on Melt Convection in Cz-Si Growth Process |
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| SU Wen-jia,ZUO Ran,DI Chen-ying,CHENG Xiao-nong. Numerical Simulation Study on Effect of Different Driving Force on Melt Convection in Cz-Si Growth Process[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(4): 903-911 |
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| Authors: | SU Wen-jia ZUO Ran DI Chen-ying CHENG Xiao-nong |
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