| 高纯硅中痕量元素分析方法研究进展 |
| |
| 引用本文： | 刘洁,钱荣,卓尚军,何品刚. 高纯硅中痕量元素分析方法研究进展[J]. 理化检验(化学分册), 2013, 0(1): 121-127 |
| |
| 作者姓名： | 刘洁 钱荣 卓尚军 何品刚 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所上海质谱中心;华东师范大学化学系 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(211102157);中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目(Y27YQ1110G);中国科学院上海硅酸盐研究所创新项目(O97ZC1110G) |
| |
| 摘 要： | 综述了从1980-2012年间测定高纯硅中痕量元素分析方法的研究进展。高纯硅中痕量元素的主要分析方法包括红外光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法、极谱法、离子探针与离子色谱法、二次离子质谱法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法等;并对高纯硅中痕量元素的分析方法进行了展望(引用文献59篇)。
|
| 关 键 词： | 高纯硅 痕量元素 综述 |
Progress of Researches of Methods for Determination of Trace Elements in High-Purity Silicon |
| |
| LIU Jie,QIAN Rong,ZHUO Shang-jun,HE Pin-gang. Progress of Researches of Methods for Determination of Trace Elements in High-Purity Silicon[J]. Physical Testing and Chemical Analysis Part B:Chemical Analgsis, 2013, 0(1): 121-127 |
| |
| Authors: | LIU Jie QIAN Rong ZHUO Shang-jun HE Pin-gang |
| |
| Affiliation: | 1.Shanghai Mass Spectrometry Center,Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China; 2.Department of Chemistry,East China Normal University,Shanghai 200062,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
