| MOS结构准静态测试中的异常C—V曲线 |
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| 引用本文： | 刘可辛,罗升旭.MOS结构准静态测试中的异常C—V曲线[J].微电子学,1989,19(3):16-18,7. |
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| 作者姓名： | 刘可辛 罗升旭 |
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| 作者单位： | 山东大学
(刘可辛，罗升旭，郑中山)，济南半导体所
(王继春)，济南半导体所(王子建) |
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| 摘 要： | 本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。
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| 关 键 词： | MOS结构 准静态 C－V测量 C－V曲线 |
The Anomalous C-V Curves of MOS Structures in Quasi-Static Measurement |
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| Liu Kexin,Luo Shengxu and Zheng Zhongshan.The Anomalous C-V Curves of MOS Structures in Quasi-Static Measurement[J].Microelectronics,1989,19(3):16-18,7. |
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| Authors: | Liu Kexin Luo Shengxu and Zheng Zhongshan |
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| Abstract: | The anomalous curves of MOS structures in quasi-static capacitance-, oltagc measurements are reported in this paper, and reasons for the generation of these curves are discussed. |
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| Keywords: | Quasi-static C-V measurement Anomalous C~V curve MOS structure |
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