|
|||||
|
|
| 高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系 | |
| 引用本文： | 桂永胜,蔡毅.高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系[J].红外与毫米波学报,1996,15(4):297-302. |
| 作者姓名： | 桂永胜 蔡毅 |
| 摘 要： | 在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。 |
| 关 键 词： | HgCdTe 电阻－温度关系 光导探测器 红外探测 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》下载免费的PDF全文 | |