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| 基于雪崩光电二极管的弱光探测技术研究 | |
| 引用本文： | 邹建,陈晴,于文林.基于雪崩光电二极管的弱光探测技术研究[J].光学与光电技术,2014,12(4):56-60. |
| 作者姓名： | 邹建 陈晴 于文林 |
| 作者单位： | 邹建:重庆大学光电工程学院， 重庆 400044 陈晴:重庆大学光电工程学院， 重庆 400044 于文林:重庆大学光电工程学院， 重庆 400044 |
| 摘 要： | 通过采用无源抑制方法对雪崩光电二极管的弱光探测技术进行了研究,分析了工作在盖革模式下的InGaAs APD的特性。利用APD两端的偏置电压VB在其雪崩后趋于稳定的特性,确定了其雪崩暗击穿电压,并且在水冷温控系统中,测得了APD雪崩暗击穿电压与温度的关系。结果表明,APD的雪崩暗击穿电压随着温度的上升而增大,光子群(弱光)到达时,APD探测到的在某一幅值处的脉冲数明显增加,其脉冲幅度也将增大。 |
| 关 键 词： | 弱光探测 无源抑制 雪崩光电二极管 暗击穿电压 |
| 收稿时间： | 2014/1/15 |
Study of Weak Light Detection Technology Based on APD |
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| ZOU Jian;CHEN Qing;YU Wen-lin.Study of Weak Light Detection Technology Based on APD[J].optics&optoelectronic technology,2014,12(4):56-60. | |
| Authors: | ZOU Jian;CHEN Qing;YU Wen-lin |
| Institution: | ZOU Jian;CHEN Qing;YU Wen-lin;College of OptoElectronic Engineering,Chongqing University; |
| Abstract: | |
| Keywords: | avalanche photo diode weak light detection passive quenching dark avalanche breakdown voltage |
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