射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga2O3薄膜的光学特性 |
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作者姓名: | 闫金良 张易军 李清山 曲崇 张丽英 李厅 |
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作者单位: | 鲁东大学物理学院,山东烟台,264025 |
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基金项目: | The National Natural Science Foundation of China,the Natural Science Foundation of Shandong Province,Project of Shandong Province Higher Educational Science and Technology Program |
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摘 要: | 在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.
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关 键 词: | 射频磁控溅射 透明导电氧化物 光学带隙 退火 N掺杂β-Ga2O3 |
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