热应力作用降低LPE层中的位错 |
| |
作者姓名: | 涂相征 |
| |
作者单位: | 中国科学院半导体研究所 |
| |
摘 要: | 提出由温差造成热剪切应力,引起衬底穿线位错滑移,形成<110>界面位错,从而降低LPE层中位错的模型。稳定自然对流下的温度梯度液相外延,存在衬底厚度方向的温差,能在边缘固定的衬底中造成热剪切应力。生长了厚GaAs和Ga1-xAlxAs层(x<0.3),估算的热剪切应力大于产生<110>暗线缺陷的临界剪切应力。表面腐蚀坑观察表明,外延层位错密度下降,或无位错。界面蚀槽和阴极荧光观察表明,衬底穿线位错在界面弯曲成<110>界面位错。透射电子显微镜观察表明,界面位错多
关键词:
|
收稿时间: | 1982-01-19 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|