|
|||||
|
|
| 呼之欲出的新一代MOS栅极电介质材料 | |
| 引用本文： | 陈刚, 王迅. 呼之欲出的新一代MOS栅极电介质材料[J]. 物理, 2000, 29(07). |
| 作者姓名： | 陈刚 王迅 |
| 作者单位： | 1.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 |
| 摘 要： | 传统的SiO2栅极电介质材料无法克服MOS器件特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响.作为进一步提高微电子器件集成度的途径,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代SiO2的研究工作已经展开.文中介绍了此类材料抑制隧穿效应影响的原理和其应当满足的各项性能指标.并对目前几种主要的研究方案,如几种高介电常数金属氧化物、硅酸盐及其迭层结构的研究状况和优缺点给予了简要评述. |
| 关 键 词： | 高介电常数材料 栅极电介质 集成度 |
| 点击此处可从《物理》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理》下载全文 | |