| 离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究 |
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| 引用本文： | 张通和,吴瑜光,罗晏.离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1988(3). |
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| 作者姓名： | 张通和 吴瑜光 罗晏 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 摘 要： | 给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10~(15)cm~(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10~(16)cm~(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.
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| 关 键 词： | As和P离子注入 动力学 退火 激活能 |
A STUDY OF KINETICS OF LATTICE RESTORATION AND IMPURITY ELECTRICAL ACTIVATION OF AS AND P IMPLANTED IN Si |
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| Zhang Tonghe Wu Yuguang Luo Yan.A STUDY OF KINETICS OF LATTICE RESTORATION AND IMPURITY ELECTRICAL ACTIVATION OF AS AND P IMPLANTED IN Si[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1988(3). |
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| Authors: | Zhang Tonghe Wu Yuguang Luo Yan |
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| Institution: | Institute of Low Energy Nuclear Physics |
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| Keywords: | As and P implantation kinetics annealing activation energy |
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