首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     


Modification of preparation technique for highly dispersed Ni/γ?Al2O3 catalysts
Authors:J. Ryczkowski
Affiliation:(1) Department of Chemical Technology, Institute of Chemistry, UMCS, 20-031 Lublin, Poland
Abstract:Highly dispersed Ni/gamma–Al2O3 catalysts have been prepared by the method of double impregnation. The application of ethylenediaminetetraacetic acid (H4Y) as a chelating agent for activation of the gamma-Al2O3 support enables us to prepare highly dispersed Ni/Al2O3 catalysts. The use of this chelating agent according to the described modification of the impregnation technique results in the highest dispersity of the metal component in the catalysts obtained.
Kcyacytcyacylcyicyzcyacytcyocyrcyycy scyicylcysoftcyncyocy dcyicyscypcyiecyrcygcyicyrcyocyvcyacyncyncyycykhcy Ni/gamma-Al2O3 pcyrcyicygcyocytcyocyvcylcyiecyncyycy mcyiecytcyocydcyocymcy dcyvcyocyjcyncyocygcyocy icymcypcyrcyiecygcyncyicyrcyocyvcyacyncyicyyacy. Icyscypcyocylcysoftcyzcyocyvcyacyncyicyiecy ecytcyicylcyiecyncydcyicyacymcyicyncytcyiecytcyrcyacyucykcyscyucyscyncyocyjcy kcyicyscylcyocytcyycy (H4Y) vcy kcyacychcyiecyscytcyvcyiecy khcyiecylcyacytcyncyocygcyocy acygcyiecyncytcyacy acykcytcyicyvcyacytscyicyicy ncyocyscyicytcyiecylcyyacy gamma-Al2O3 pcyocyecyvcyocylcyyacyiecytcy pcyrcyicygcyocytcyocyvcyicytcysoftcy kcyacytcyacylcyicyzcyacytcyocyrcyycy Ni/Al2O3 scy vcyycyscyocykcyocyjcy dcyicyscypcyiecyrcyscyncyocyscytcysoftcyyucy. Icyscypcyocylcysoftcyzcyocyvcyacyncyicyiecy ecytcyocygcyocy khcyiecylcyacytcyncyocygcyocy acygcyiecyncytcyacy scyocygcylcyacyscyncyocy ocypcyicyscyacyncyncyocyjcy mcyocydcyicyfcyicytscyicyrcyocyvcyacyncyncyocyjcy tcyiecykhcyncyicykcyiecy icymcypcyrcyiecygcyncyicyrcyocyvcyacyncyicyyacy, pcyrcyicyvcyocydcyicytcy kcy ncyacyicyvcyycyscyshcyiecyjcy dcyicyscypcyiecyrcyscyncyocyscytcyicy mcyiecytcyacylcylcyicychcyiecyscykcyocygcyocy kcyocymcypcyocyncyiecyncytcyacy ncyacy pcyocylcyucychcyiecyncyncyocymcy kcyacytcyacylcyicyzcyacytcyocyrcyiecy.
Keywords:
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号