| 静电纺丝技术制备Gd_3Ga_5O_(12)∶Eu~(3+)多孔发光纳米带 |
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| 引用本文： | 刘莹,王进贤,董相廷,刘桂霞.静电纺丝技术制备Gd_3Ga_5O_(12)∶Eu~(3+)多孔发光纳米带[J].高等学校化学学报,2010(7). |
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| 作者姓名： | 刘莹 王进贤 董相廷 刘桂霞 |
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| 作者单位： | 长春理工大学化学与环境工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(批准号:50972020); 吉林省科技发展计划重大项目(批准号:20070402,20060504); 教育部科学技术研究重点项目(批准号:207026); 长春市科技计划项目(批准号:2007045); 吉林省教育厅“十一五”科学技术研究项目(批准号:2007-45,2006JYT05)资助 |
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| 摘 要： | 采用静电纺丝技术制备了PVP/Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带,将其进行热处理,得到了Gd3Ga5O12∶Eu3+(简称GGG∶Eu3+)多孔发光纳米带.采用XRD,SEM,TEM,TG-DTA,FTIR和荧光光谱等技术对样品进行了表征.PVP/Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带为非晶态,经800℃焙烧8h后,获得了单相石榴石型的GGG∶Eu3+纳米带,属于立方晶系,空间群为Ia3d.复合纳米带表面光滑,尺寸均一,平均宽度约10μm,厚度约为100nm,彼此没有交联;经800℃焙烧后GGG∶Eu3+多孔纳米带平均宽度约2.5μm,厚度30nm,长度大于500μm,呈多孔网状多晶结构.当焙烧温度高于700℃时,复合纳米带中DMF、有机物和硝酸盐分解挥发完全,总失重率为93.1%.焙烧温度为800℃时,生成了纯净的无机氧化物.在254nm的紫外光激发下,GGG∶Eu3+纳米带发射出主峰位于591nm的明亮红光,属于Eu3+的5D0→7F1跃迁.对GGG∶Eu3+纳米带形成机理进行了讨论.
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| 关 键 词： | GGG∶Eu3 纳米带 荧光粉 静电纺丝技术 |
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