|
|||||
|
|
| Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光 | |
| 引用本文： | 许小亮,徐军,徐传明,杨晓杰,郭常新,施朝淑. Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光[J]. 发光学报, 2003, 24(2): 171-176 |
| 作者姓名： | 许小亮 徐军 徐传明 杨晓杰 郭常新 施朝淑 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院结构分析重点实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026 2. 中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026 3. 中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,安徽,合肥,230027 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(50142016)，973预研究基金(国科基字[2001]51号)，安徽省自然科学基金(0046506)资助项目 |
| 摘 要： | 几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO／Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示，当退火温度低于等于800℃时，随着退火温度的升高，薄膜的晶体质量得到了改善，这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加，同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了，其峰值为525nm。当退火温度为950℃时，紫外带几乎消失，而只剩下绿带，且与纯硅酸锌样品的CL谱一致，掠入射X射线衍射测量表明，确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此，从ZnO／Si异质结的质量来看，直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结：因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时，不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量，而当退火温度接近或高于800℃时，虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加，但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌，将严重影响ZnO／Si异质结的电学输运特性。 |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 阴极射线荧光 硅衬底 薄膜生长 氧化锌薄膜 高温退火 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)02-0171-06 |
Cathodoluminescence of ZnO Films on Silicon |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | ZnO silicon substrate high temperature annealing cathodoluminescence Zn_2SiO_4 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |