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甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜
引用本文:兰雁华 陆光汉. 甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜[J]. 分析化学, 1998, 26(10): 1192-1195
作者姓名:兰雁华 陆光汉
作者单位:华中师范大学化学系!武汉430079
摘    要:报道了采用甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜的方法。通过开路富集,Cu62+和甲壳素形成络合物富集于电极表面,然后经介质交换,电位还原再进行阳熔出伏安测定。在浓度为3.0×10^-9-9.0×120^-7mol/L范围内,峰电流与痕量铜浓度呈线性关系,检测限为1.0×10^-9mol/L。同时,对电极反应的机理进行了讨论。

关 键 词:铜 甲壳素 碳糊修饰电极 伏安法 富集 分析

Determination of Trace Copper by Chitin Modified Carbon Paste Electrode
Lan Yanhua,Lu Guanghan,Yao Shenglai,Song Feng. Determination of Trace Copper by Chitin Modified Carbon Paste Electrode[J]. Chinese Journal of Analytical Chemistry, 1998, 26(10): 1192-1195
Authors:Lan Yanhua  Lu Guanghan  Yao Shenglai  Song Feng
Affiliation:Lan Yanhua*,Lu Guanghan,Yao Shenglai,Song Feng
Abstract:
Keywords:Copper   chitin   modified carbon paste elected   anodic stripping voltmmetry
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