试析GaAsMESFET栅结空间电荷区的穿通对器件设计的限制

本文分析了非对称结构GaAsMESFET的栅结在反偏置条件空间电荷区的穿通引起的栅结低击穿现象。给出了穿通后击穿电压的计算公式及曲线以及为保证器件达到规定的击穿电压、夹断电压,器件结构设计的限制。