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| GaAs_(1-x)P_x:N束缚激子的压力行为 | |
| 引用本文： | 张勇,余畸,郑健生,颜炳章,吴伯僖,李国华,汪兆平,韩和相.GaAs_(1-x)P_x:N束缚激子的压力行为[J].物理学报,1988(12). |
| 作者姓名： | 张勇 余畸 郑健生 颜炳章 吴伯僖 李国华 汪兆平 韩和相 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系 (张勇，余畸，郑健生，颜炳章，吴伯僖)，中国科学院半导体研究所 (李国华，汪兆平)，中国科学院半导体研究所(韩和相) |
| 摘 要： | 本文研究了77K温度下GaAs_(0.15)P_(0.85):N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN_1的发光。同时,观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了N_x→NN_1的热助能量转移过程。对N_x能级和NN_1能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。 |
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