| 高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究 |
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| 引用本文： | 黄柯月,吴中华,周淼,陈伟中,王钊,周锌. 高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究[J]. 微电子学, 2022, 52(4): 706-710 |
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| 作者姓名： | 黄柯月 吴中华 周淼 陈伟中 王钊 周锌 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400060;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;中国电子科技集团公司 第五十八研究所, 江苏 无锡 214035 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62004034) |
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| 摘 要： | 对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理，并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷，仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明，总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷QBOX和QFOX。QFOX增加了漏极附近横向电场，降低了埋氧层电场，使击穿位置由体内转到表面，导致击穿电压退化。QBOX降低了埋氧层电场，降低了埋氧层压降，导致击穿电压退化。
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| 关 键 词： | 总剂量辐射 SOI pLDMOS 击穿电压 辐射陷阱电荷 |
| 收稿时间： | 2021-10-11 |
Study on Total-Ionizing-Dose Radiation Induced BV Degradation of High Voltage SOI pLDMOS |
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| HUANG Keyue,WU Zhonghu,ZHOU Miao,CHEN Weizhong,WANG Zhao,ZHOU Xin. Study on Total-Ionizing-Dose Radiation Induced BV Degradation of High Voltage SOI pLDMOS[J]. Microelectronics, 2022, 52(4): 706-710 |
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| Authors: | HUANG Keyue WU Zhonghu ZHOU Miao CHEN Weizhong WANG Zhao ZHOU Xin |
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| Affiliation: | College of Optoelec.Engineer., Chongqing Univ.of Posts and Telecommun., Chongqing 400065, P.R.China;State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp., Wuxi, Jiangsu 200235, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | total-ionizing-dose effect SOI pLDMOS BV radiation trap charge |
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