GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响 |
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作者姓名: | 倪海桥 徐晓华 张纬 徐应强 牛智川 吴荣汉 |
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摘 要: | 用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量.
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关 键 词: | 超品格 电子性能 折叠谱法 蒙特卡罗模拟 砷化镓材料 镓铟氮砷锑材料 半导体材料 |
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