双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Ф４０ｍｍ）、大单晶面积（４～１０ｃｍ２）、径向组分均匀（ｘ≤±０．００３）、光电性能良好（７７Ｋ：ｎｉ≤５×１０１４ｃｍ－３、μｉ≥１．５×１０ｓｃｍ２／Ｖ．ｓ、≥２μｓ；３００Ｋ：０．９ｍｍ厚的晶片透过率Ｔ≥１５％）的碲镉汞晶体。