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| 横向高压器件LIGBT的新型结构 | |
| 引用本文： | 张国海,杨媛.横向高压器件LIGBT的新型结构[J].半导体杂志,1998,23(4):45-50. |
| 作者姓名： | 张国海 杨媛 |
| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系 |
| 摘 要： | 围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作为较系统的分析与对比。 |
| 关 键 词： | LIGBT 结构 关断时间 闩锁效应 功率器件 IC |
New Structures of the High Voltage Lateral Device LIGBT |
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| Authors: | Zhang Guohai Yang Yuan Gao Yong |
| Abstract: | |
| Keywords: | LIGBT new structure turn off time latch up effect |
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