硅基3C-SiC的热氧化机理 |
| |
引用本文: | 赵永梅,孙国胜,刘兴昉,李家业,赵万顺,王雷,罗木昌,李晋闽.硅基3C-SiC的热氧化机理[J].半导体学报,2007,28(Z1):95-98. |
| |
作者姓名: | 赵永梅 孙国胜 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽 |
| |
作者单位: | 赵永梅(中国科学院半导体研究所,北京,100083);孙国胜(中国科学院半导体研究所,北京,100083);刘兴昉(中国科学院半导体研究所,北京,100083);李家业(中国科学院半导体研究所,北京,100083);赵万顺(中国科学院半导体研究所,北京,100083);王雷(中国科学院半导体研究所,北京,100083);罗木昌(中国科学院半导体研究所,北京,100083) |
| |
摘 要: | 采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar 溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.
|
关 键 词: | 3C-SiC 热氧化 XPS 氧化机理 |
文章编号: | 0253-4177(2007)S0-0095-04 |
修稿时间: | 2006年12月31 |
Mechanism of Thermal Oxidation of 3C-SiC Grown on Si |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|