| InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究 |
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| 引用本文： | 李彬,陈伟,黄晓峰,迟殿鑫,姚科明,王玺,柴松刚,高新江.InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究[J].红外与毫米波学报,2017,36(4):420-424. |
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| 作者姓名： | 李彬 陈伟 黄晓峰 迟殿鑫 姚科明 王玺 柴松刚 高新江 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
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| 基金项目： | 中国电子科技集团创新基金项目（KJ1402011） |
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| 摘 要： | 通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10~(15)/cm~3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
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| 关 键 词： | InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管 顶层 掺杂浓度 |
| 收稿时间： | 2016/12/12 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/4/20 0:00:00 |
InP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode |
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| LI Bin,CHEN Wei,HUANG Xiao-Feng,CHI Dian-Xin,YAO Ke-Ming,WANG Xi,CHAI Song-Gang and GAO Xin-Jiang.InP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2017,36(4):420-424. |
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| Authors: | LI Bin CHEN Wei HUANG Xiao-Feng CHI Dian-Xin YAO Ke-Ming WANG Xi CHAI Song-Gang and GAO Xin-Jiang |
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| Institution: | China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs/InP Single-photon Avalanche Diode cap layer doping density |
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