| CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究 |
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| 引用本文： | 钟雨航,朱世富,赵北君,任锐,何知宇,叶林森,温才. CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 939-942 |
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| 作者姓名： | 钟雨航 朱世富 赵北君 任锐 何知宇 叶林森 温才 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家863计划资助项目(No.2002AA325030) |
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| 摘 要： | 采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
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| 关 键 词： | 硒化镉 机械化学抛光 抛光液 金相显微镜 电阻率 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-0939-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-01 |
| 修稿时间： | 2006-03-012006-05-08 |
Study on Chemical Mechanical Polishing Technology for CdSe Wafer for Detectors |
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| ZHONG Yu-hang,ZHU Shi-fu,ZHAO Bei-jun,REN Rui,HE Zhi-yu,YE Lin-sen,WEN Cai. Study on Chemical Mechanical Polishing Technology for CdSe Wafer for Detectors[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(5): 939-942 |
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| Authors: | ZHONG Yu-hang ZHU Shi-fu ZHAO Bei-jun REN Rui HE Zhi-yu YE Lin-sen WEN Cai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdSe chemical mechanical polishing polishing solution metallography microscope electrical resistivity |
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