| 衬底温度对SnS薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 郭余英,史伟民,魏光普,夏义本. 衬底温度对SnS薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 666-669 |
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| 作者姓名： | 郭余英 史伟民 魏光普 夏义本 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072 |
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| 基金项目： | 上海市科学技术委员会专项基金重点项目 , 上海市重点学科建设项目 , SHU SOLARE R&D研究项目 |
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| 摘 要： | 采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.
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| 关 键 词： | 太阳能电池 硫化亚锡薄膜 真空蒸发 衬底温度, |
Influence of Substrate Temperature on Properties of Tin Sulfide Thin Films |
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| GUO Yu-ying,SHI Wei-min,WEI Guang-pu,XIA Yi-ben. Influence of Substrate Temperature on Properties of Tin Sulfide Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 666-669 |
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| Authors: | GUO Yu-ying SHI Wei-min WEI Guang-pu XIA Yi-ben |
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