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| 量子霍耳效应发现十周年 | |
| 引用本文： | 谷清.量子霍耳效应发现十周年[J].现代物理知识,1990,1(5):17-20. |
| 作者姓名： | 谷清 |
| 摘 要： | 霍耳效应是1879年美国物理学家霍耳研究载流导体在磁场中导电的性质时发现的一种电磁效应.他在长方形导体薄片上通以电流,沿电流的垂直方向加磁场(如图1),发现在与电流和磁场两者垂直的两侧面产生了电位差.后来这个效应广泛应用于半导体研究.一百年过去了.1980年一种新的霍耳效应又被发现.这就是德国物理学家冯·克利青从金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)发现的量子霍耳效应. |
| 关 键 词： | 量子霍耳效应 二维电子系统 反型层 ET管 耳电极 电阻基准 强磁场 基本物理常数 国际计量委员会 精细结构常数 |
| 收稿时间： | 1989-7-13 |
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