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| 微细光刻用抗蚀剂 | |
| 作者姓名： | 浅野雅文 欧福贤 |
| 摘 要： | 随着大规模集成电路(LSI)的高密度化,图形微细化,进一步对尺寸、曝光精度有更严格的要求,所以从光刻掩模到光致抗蚀剂剥离技术这一系列的光刻工艺过程(装置的选择、安装、维护,材料药品的选择、使用方法,工艺最佳条件的掌握,环境)全都要求提高到同一水平。就一般情况而言,形成所希望的图形是越来越困难了。仅就抗蚀剂的选择和使用技术来说,并不构成形成微细图形的必要条件,这里仅就抗蚀剂加以说明。由负性抗蚀剂制作微细图形 1.负性抗蚀剂的特长抗蚀剂分为负性和正性,无论哪种,分辨率都超过现在的光学系统。但两者在特性 |
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