| 赝二元固溶体TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)的结构与磁性 |
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| 作者姓名： | 张继业 骆 军 梁敬魁 纪丽娜 刘延辉 李静波 饶光辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号：2006CB601101)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用电弧熔炼法在高纯氩气保护下合成了一系列TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)样品. X射线粉末衍射数据表明，样品均为正交晶系的CrB型结构，空间群为Cmcm. TbGa1-xGex化合物的晶格常数随Ge含量的增加而线性减小，TbGa和TbGe赝二元系在0≤x≤0.4范围内形成固溶体. 化合物的顺磁居里温度以及有效磁矩由热磁测量结果确定. 相变温度由交流磁化率的测量获得. 随Ge含量的增加，化合物的相变温度单调下降. 变温X射线粉末衍射实验表明，x=0.2和0.3的样品在110—273K范围内无结构相变.关键词：TbGa-TbGe 赝二元系CrB结构居里温度磁化强度
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| 关 键 词： | TbGa-TbGe 赝二元系 CrB结构 居里温度 磁化强度 |
| 收稿时间： | 2008-03-31 |
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